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  • ZG硅基光延時(shí)芯片
    ZG硅基光延時(shí)芯片

    更新時(shí)間:2024-12-27

    型號(hào):ZG

    瀏覽量:878

    硅基光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí),厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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  • ZG硅基 7bit 可調(diào)光延時(shí)芯片
    ZG硅基 7bit 可調(diào)光延時(shí)芯片

    更新時(shí)間:2024-12-27

    型號(hào):ZG

    瀏覽量:912

    硅基 7bit 可調(diào)光延時(shí)芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí),厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
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  • 硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時(shí)芯片
    硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時(shí)芯片

    更新時(shí)間:2024-12-27

    型號(hào):

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    硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時(shí)芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí),厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
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  • ZG硅基6 比特光延時(shí)芯片
    ZG硅基6 比特光延時(shí)芯片

    更新時(shí)間:2024-12-27

    型號(hào):ZG

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    硅基6 比特光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí),厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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  • ZG硅基單片集成 6 比特光延時(shí)芯片
    ZG硅基單片集成 6 比特光延時(shí)芯片

    更新時(shí)間:2024-12-27

    型號(hào):ZG

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    硅基單片集成 6 比特光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下,硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí),厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平,單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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  • ZG-VOASOI芯片式高速光衰減器
    ZG-VOASOI芯片式高速光衰減器

    更新時(shí)間:2025-02-17

    型號(hào):ZG-VOA

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    SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)高速響應(yīng)的可調(diào)光路衰減,實(shí)現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成,芯片與多通道光纖陣列和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝,數(shù)字化驅(qū)動(dòng),偏振相關(guān)性小,衰減范圍大,調(diào)節(jié)精度高,衰減值穩(wěn)定,響應(yīng)時(shí)間為納秒級(jí),可在高速、低時(shí)延系統(tǒng)中應(yīng)用。
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  • ZGSOI芯片光電探測(cè)器集成度高
    ZGSOI芯片光電探測(cè)器集成度高

    更新時(shí)間:2024-12-27

    型號(hào):ZG

    瀏覽量:924

    SOI芯片光電探測(cè)器集成度高,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
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  • ZGSOI芯片光電探測(cè)器
    ZGSOI芯片光電探測(cè)器

    更新時(shí)間:2024-12-27

    型號(hào):ZG

    瀏覽量:1164

    SOI芯片光電探測(cè)器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
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